APT65GP60L2DQ2G – Transistor IGBT Microchip 600V 65A

APT65GP60L2DQ2G – Transistor IGBT Microchip 600V 65A

APT65GP60L2DQ2G Microchip | IGBT 600V 65A con diodo ultrarrápido integrado, encapsulado TO-264. Ideal para variadores de frecuencia, inversores, UPS y aplicaciones industriales de potencia.
El APT65GP60L2DQ2G de Microchip es un IGBT de potencia de 600V y 65A con diodo ultrarrápido integrado, diseñado para aplicaciones de alta frecuencia y alta eficiencia. Ofrece bajas pérdidas de conducción, rápida conmutación y excelente desempeño en variadores de frecuencia, UPS, inversores y sistemas industriales de control de motores.

Especificaciones Técnicas Principales

  • Referencia: APT65GP60L2DQ2G
  • Marca: Microchip Technology (APT)
  • Tipo: IGBT de Potencia PT (Punch Through)
  • Voltaje Colector-Emisor (VCES): 600V
  • Corriente Nominal de Trabajo: 65A
  • Corriente de Colector Continua: hasta 198A @ 25°C
  • Corriente de Pulso: 250A
  • Potencia Máxima de Disipación: 833W
  • Voltaje de Compuerta (VGE): ±30V
  • Diodo Integrado: Sí, ultrarrápido
  • Encapsulado: TO-264 MAX
  • Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
  • Aplicaciones: Variadores de frecuencia, UPS, inversores, fuentes conmutadas, control de motores y automatización industrial.
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