El SRC60R068BST-G de Sanrise es un MOSFET Super Junction de 600V y 48A diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y rápida conmutación. Ofrece una baja resistencia de conducción de 68 mΩ, excelente desempeño térmico y gran fiabilidad en cargadores EV, UPS, inversores y fuentes de alimentación industriales.
Especificaciones Técnicas Principales
- Referencia: SRC60R068BST-G
- Marca: Sanrise Technology
- Tipo de Dispositivo: MOSFET de Potencia Super Junction
- Canal: N-Channel
- Voltaje Drenador-Fuente (VDS): 600V
- Corriente Continua de Drenador (ID): 48A
- Corriente Pulsada (IDM): 144A
- Resistencia RDS(on): 68 mΩ @ VGS = 10V
- Voltaje Gate-Source (VGS): ±30V
- Carga de Compuerta (Qg): 110 nC típica
- Potencia Máxima de Disipación: 357W
- Encapsulado: TO-247
- Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
- Tecnología: Super Junction
- Alta capacidad de avalancha
- Bajas pérdidas de conmutación
- EMI mejorado
- Aplicaciones: UPS, cargadores para vehículos eléctricos, telecomunicaciones, convertidores DC-DC, inversores, fuentes de alimentación conmutadas y equipos industriales de potenci
